Сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) фирмы "RAMTRON"(http://www.ramtron.com) - это новое поколение энергонезависимой памяти, которое объединяет высокую скорость записи/чтения данных и низкое энергопотребление со способностью сохранять данные при пропадании электропитания.
Принцип работы:
При приложении электрического поля к сегнетоэлектрическому кристаллу центральный атом передвигается в кристаллической решетке в соответствии с полярностью поля и занимает определенное положение, соответствующее поляризации поля, а именно «0» или «1». Внутренняя схема управления позволяет определить состояние памяти. При снятии электрического поля центральный атом остается в том же положении, в котором он был при подаче электрического поля. Таким образом, память FRAM не нуждается в постоянной регенерации данных, и после отключения питания сохраняет свое содержимое. Кроме того, энергопотребление кристаллов отличается крайне малой величиной, а считывание и запись данных ведется со скоростью интерфейса шины.
- В отличие от памяти, типа EEPROM и Flash которые требуют дополнительное время на организацию циклов чтения /записи и потребляют значительную мощность, микросхемы FRAM записывают данные мгновенно, хранят их долго и при этом потребляют очень малую мощность.
- Доступны микросхемы, как с параллельным, так и с последовательным интерфейсом чтения/записи (I2C и SPI)
- Отсутствуют временные задержки при чтении/записи, операции чтения и записи осуществляются с быстродействием шины
- Длительный срок хранения данных:>10 лет (3В версии: до бесконечности)
- Малое потребление тока во всех режимах
- Практически неограниченное число циклов перезаписи
- Широкий диапазон рабочих температур: -40…+85°С
- Микросхемы FRAM совместимы по выводам с EEPROM Atmel, Microchip, Xicor, Fairchild и статическими ОЗУ ST, Dallas, Benchmarq, их применение обеспечивает мгновенное улучшение электрических характеристик и возможностей системы
| Наименование | Кол-во циклов запись/стирание | Объем,кбит | Время доступа, нс | Tраб.,°C | Uпит.,В | Примечание | Корпус |
| Паралллельный интерфейс | |||||||
| FM1608-120-P | 1 трлн. | 8Kx8 | 120 | -40…+85°С | 5 | DIP28 | |
| FM1608-120-S | 1 трлн. | 8Kx8 | 120 | -40…+85°С | 5 | SO28W | |
| FM1808-70-P | 10 млрд. | 32Kx8 | 70 | -40…+85°С | 5 | DIP28 | |
| FM1808-70-S | 10 млрд. | 32Kx8 | 70 | -40…+85°С | 5 | SO28 | |
| FM18L08-70-P | неогр. | 32Kx8 | 70 | -40…+85°С | 5 | DIP28 | |
| FM18L08-70-S | неогр. | 32Kx8 | 70 | -40…+85°С | 5 | SO28W | |
| Последовательный интерфейс I2C | |||||||
| FM24C04-P | 10 млрд. | 512x8 | 400 кГц | -40…+85°С | 5 | *FM24C04A-P | DIP8 |
| FM24C04A-P | 1 трлн. | 512x8 | 1 МГц | -40…+85°С | 5 | *FM24C04A-S | DIP8 |
| FM24C04A-S | 1 трлн. | 512x8 | 1 МГц | -40…+85°С | 3,3 | SO8 | |
| FM24C16A-P | 1 трлн. | 2Kx8 | 1 МГц | -40…+85°С | 5 | *FM24C16A-S | DIP8 |
| FM24C16A-S | 1 трлн. | 2Kx8 | 1 МГц | -40…+85°С | 5 | SO8 | |
| FM24C256-SE | 10 млрд. | 32Kx8 | 1 МГц | -40…+85°С | 5 | SO8 | |
| FM24C64-P | 1 трлн. | 8Kx8 | 1 МГц | -40…+85°С | 5 | *FM24C64-S | DIP8 |
| FM24C64-S | 1 трлн. | 8Kx8 | 1 МГц | -40…+85°С | 5 | SO8 | |
| FM24CL04-S | неогр. | 512x8 | 1 МГц | -40…+85°С | 3,3 | SO8 | |
| FM24CL16-S | неогр. | 2Kx8 | 1 МГц | -40…+85°С | 3,3 | SO8 | |
| FM24CL64-S | неогр. | 8Kx8 | 1 МГц | -40…+85°С | 3,3 | SO8 | |
| Последовательный интерфейс SPI | |||||||
| FM25040-P | 10 млрд. | 512x8 | 1,8 МГц | -40…+85°С | 5 | *FM25040-S, SPI режим 0 | DIP8 |
| FM25040-S | 10 млрд. | 512x8 | 1,8 МГц | -40…+85°С | 5 | SPI режим 0 | SO8 |
| FM25160-P | 10 млрд. | 2Kx8 | 1,8 МГц | -40…+85°С | 5 | *FM25C160-S, SPI режим 0 | DIP8 |
| FM25160-S | 10 млрд. | 2Kx8 | 1,8 МГц | -40…+85°С | 5 | *FM25C160-S, SPI режим 0 | SO8 |
| FM25640-P | 10 млрд. | 8Kx8 | 5 МГц | -40…+85°С | 5 | *FM25640-S, SPI режим 0/3 | DIP8 |
| FM25640-S | 10 млрд. | 8Kx8 | 5 МГц | -40…+85°С | 5 | SPI режим 0/3 | SO8 |
| FM25C160-P | 1 трлн. | 2Kx8 | 5 МГц | -40…+85°С | 5 | *FM25C160-S, SPI режим 0/3 | DIP8 |
| FM25C160-S | 1 трлн. | 2Kx8 | 5 МГц | -40…+85°С | 5 | SPI режим 0/3 | SO8 |
| FM25CL04-S | неогр. | 512x8 | 20 МГц | -40…+85°С | 3,3 | SPI режим 0/3 | SO8 |
| FM25CL64-S | неогр. | 8Kx8 | 20 МГц | -40…+85°С | 3,3 | SPI режим 0/3 | SO8 |
| Processor Companion: Микросхемы с дополнительными функциями (часы, календарь и т.д.) | |||||||
| FM30C256-S | 10 млрд. | 32Kx8 | 1 | -40…+85°С | 5 | RTC, PSM, супервизор, регистратор событий, I2C | SO20W |
| FM3808-70-T | 100 млрд. | 32Kx8 | 70 | -40…+85°С | 5 | RTC, ClockAlarm, WDT, PSM, супервизор, паралл. | TSOP32 |
-
ПроизводительКорпусОписание